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技術文章

Technical articles

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  • 20229-27
    微型真空探針臺是如何工作的?

    微型真空探針臺可以將電探針、光學探針或射頻探針放置在硅晶片上,從而可以與測試儀器/半導體測試系統配合來測試芯片/半導體器件。這些測試可以很簡單,例如連續性或隔離檢查,也可以很復雜,包括微電路的完整功能測試。可以在將晶圓鋸成單個管芯之前或之后進行測試。它還使制造商能夠在封裝之前測試管芯,這在封裝成本相對于器件成本高的應用中很重要。微型真空探針臺的作用是什么?探針臺可以將電探針、光學探針或射頻探針放置在硅晶片上,從而可以與測試儀器/半導體測試系統配合來測試芯片/半導體器件。這些測...

  • 20227-21
    磁控濺射技術原理及應用簡介

    磁控濺射技術原理及應用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積(PVD)的方法,具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好,成分接近靶材成分等眾多優點。傳統的濺射技術的工作原理是:在高真空的條件下,入射離子(Ar+)在電場的作用下轟擊靶材,使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面,沉積在基片表面形成薄膜。但是,電子會受到電場和磁場的作用,產生漂移,因而導致傳濺射效率低,電子轟擊路徑短也會導致基片溫度升高,為了提高濺射效率,在靶下方安裝強磁鐵,中央...

  • 20227-21
    對真空加熱腔體你了解嗎?

    真空加熱腔體在真空柜的外殼內設置由板片制造的腔體,該腔體具有容室,前方具有開口,在開口處設置蓋板,該蓋板可蓋合開口,該腔體連設抽氣裝置,可抽取腔體內的氣體,該腔體容室位置為柱狀弧形體;藉此當抽取本實用新型腔體內氣體時,因腔體不具有平面及端角,可使腔體不同位置平均承受真空負壓,防止腔體產生變形,本實用新型腔體板片厚度可小于現有腔體板片厚度即可具防止腔體變形功效,具有減小成本及重量的功效,且可便于焊接加工,具有較佳制造便利性。真空加熱腔體相變換熱原理:燃燒器將燃料充分燃燒,熱量經...

  • 20226-27
    手動探針臺維護和保養方法

    手動探針臺主要應用于半導體行業、光電行業、集成電路以及封裝的測試。廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發,旨在確保質量及可靠性,并縮減研發時間和器件制造工藝的成本。探針臺可吸附多種規格芯片,并提供多個可調測試針以及探針座,配合測量儀器可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及電容電壓特性曲線等參數檢測。適用于對芯片進行科研分析,抽查測試等用途。手動探針臺維護和保養:1.避免碰撞:在安裝,操作手動探針臺時應避免碰撞,機體放置需平坦,不可傾斜或橫倒,避免機器發生故障或異常異音。2...

  • 20226-16
    質量流量計為何要進行穩壓補償

    質量流量計為何要進行穩壓補償常用的流量計大多只能夠直接測量流體的體積,并不能直接測量質量,如果只測量流體在當前工況下的體積時,質量流量計儀表可以直接顯示出來。但是如果要求流量計顯示為流體質量時,需要通過計算即時采樣的流體體積參數與密度參數相乘的積而得出結果(質量=密度X體積)而并非直接測量出流體的質量。質量流量計作為流量儀表,它測量出來的數據一定要準確,如果要測量流體的質量時就涉及到一個問題:就是流體的密度是否恒定。如果流體的密度始終如一,那么只要把流體的密度參數固定在儀表上...

  • 20225-23
    氣體配比器是用來做什么的?

    氣體配比器是為氣體分析、測試類儀器的標定、校準和檢測的需求而開發的產品,能實時配制不同種類、不同濃度的的氣體。很多場合包括實驗室、環保企業、生物制藥、環境監測、煙氣分析、煤礦冶金等。是對已知標準濃度的氣體進行稀釋,氣體稀釋儀根據質量流量混合法,通過程序控制、實現全自動智能數字化氣體稀釋儀,其所有核心部件是質量流量控制器(MFC),這種裝置質量可靠、是一種高精度、高分辨率的氣體稀釋系統。使用多個質量流量控制器準確控制流量,可動態稀釋高濃度氣體標準樣品至所需低濃度樣品,也可單獨控...

  • 20225-9
    小型濺射儀鍍膜后掃描電鏡紡織纖維中的應用

    纖維(Fiber)是由連續或不連續的細絲組成的物質,可分為天然纖維和化學纖維。這兩大類纖維被廣泛應用于紡織[1]、環保[3]、生物醫療[4]等多個領域。由于纖維材料的表面物理形態和化學結構是決定材料性能的主要因素,通常需要利用相關的顯微設備去觀察纖維表面的微觀形貌等信息,從而去判斷纖維材料的基本性能。掃描電子顯微鏡作為一種常規的微觀表征設備,其具有放大倍數大、分辨率高、景深大、圖像清晰、立體感強等優點,當掃描電鏡搭載能譜儀后還可以用于表征纖維成分信息,這在纖維的研發和生產中發...

  • 20224-26
    其實,你并不了解小型濺射儀

    小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似一條擺線。若為環形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表...

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